طراحی یک تقویت کننده کم نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا به کمک روش تزویج مغناطیسی در باند ۴۵ghz

نویسندگان

مهران نظری

دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق جواد یاوند حسنی

دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق

چکیده

در این مقاله، یک lna کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45ghz با استفاده از تکنولوژی µmrf-0.18cmos شرکت tsmc ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی طبقه اول کاهش داده شده است. شبکه میان گذر ورودی و ساختار شانت-پیکینگ خروجی جهت دستیابی به تطبیق پهن باند در ورودی و خروجی تقویت کننده به کار گرفته شده اند. این lna دو طبقه دارای بهره سیگنال کوچک db9 و عدد نویز db4 در فرکانس ghz45 است. مقدار iip3 تقویت کننده کم نویز پیشنهادشده +3.8dbm بوده که در مقایسه با ساختار کسکود با استفاده از روش تزویج پایه +7dbm بهبود داشته است. این تقویت کننده دارای پهنای باند 3db، 10ghz بوده و تلفات بازگشت در سرتاسر پهنای باند بهتر از 10db است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی با ولتار منبع تغذیه 0.6 ولت دارای توان تلفاتی  6.8mwاست.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی یک تقویت‌کننده کم‌نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا به کمک روش تزویج مغناطیسی در باند 45GHz

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

متن کامل

یک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل

تقویت‌کننده کم‌نویز یکی از مهمترین بلوک‌های به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب می‌شود. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز پهن‌باند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویت‌کننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...

متن کامل

طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCMOS

خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه‌شده یک تقویت‌کننده کم نویز کسکود شده با ا...

متن کامل

طراحی تقویت کننده کم نویز با ولتاژ و توان پایین برای کاربرد در سیستمهای چند استانداردی

در این رساله، به طراحی اولین بلوک از یک سیستم رادیوی چند استانداردی یعنی تقویت کننده کم نویز پرداخته شده است. هدف طراحی وشبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز چند استانداردی با ولتاژ و توان پایین بوده که بتواند به طور هم زمان در تمام باندهای فرکانسی مورد نظر کار کند که سبب افزایش کارایی و عملکرد سیستم شود. به منظور بدست آوردن نیازمندی های مطلوب در هر استاندارد نیاز است که توان مصرفی و ولتاژ تغذیه در...

15 صفحه اول

طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز ولتاژ پایین با ساختار بدون سلف و خطسانی مطلوب

در این پروژه یک تقویت کننده کم نویز با ساختار بدون سلف در تکنولوژی 130 نانو ( 0.13 µm ) با پهنای باند 3.5 گیگا هرتز با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است که بهره توان آن 27 دسی بل ، تلفات ورودی کمتر از 12- دسی بل ، عدد نویز بسیار مطلوب 2.8 دسی بل ، خطینگیdbm 6.1 و ضریب پایداری بسیار خوب بیش از 110 میباشد.

طراحی واحد تأخیر CMOS برای افزایش محدوده دینامیکی و خطینگی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین

در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ همواره طراحی و پیاده سازی یک واحد تأخیر مناسب برای کاربردهای دیجیتال و آنالوگ به عنوان یک چالش مطرح بوده است. این مدار کوچک نقش قابل توجهی در کارآیی سیستم‌های مختلف و بخصوص سیستمهای دیجیتال ایفا می‌نماید. از آنجا که در تکنولوژی‌های زیر میکرون که توان مصرفی و کاهش ولتاژ به عنوان یک ضرورت احساس می‌شود، دست یابی به یک واحد تأخیر با خطینگی مناسب به عنوان مشکل بزرگی در ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
مهندسی برق دانشگاه تبریز

جلد ۴۷، شماره ۲، صفحات ۷۵۱-۷۶۰

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023